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發(fā)光二極管
發(fā)布日期:2024-4-28 17:06:47 作者:admin    點擊:251

半導體發(fā)光器件包括半導體LED發(fā)光二極管,數(shù)字控制、符號、管、杰克管、點陣顯示屏(簡稱矩陣管)。事實上,數(shù)字控制、符號、管、杰克管道和管矩陣單元中的每個光源是發(fā)光二極管。

第一、原理、特點及應(yīng)用的半導體光發(fā)光二極管工作

(A)原則的LED燈

發(fā)光二極管組成的三-ⅳ型-ⅵ化合物如GaAs(砷化鎵)差距(鎵磷化物),gaasp問世(p砷化鎵)半導體組成,其核心是PN結(jié)。因此它具有一般-N p-n結(jié),進行反向,擊穿特性。此外,在一定條件下還具有光學性質(zhì)。根據(jù)正向電壓,由n p電子噴射孔注射用其他區(qū)域的少數(shù)載流子(?。┎糠侄鄶?shù)載體(多)光的p;訪問是復合材料,如圖1所示。

假定光是p,然后直接注入的電子和空穴帶輕的復合材料,或被俘的發(fā)光中心第一次,然后孔重組。除了這種化合物,和一些電子被非發(fā)光中心(近中心之間傳導帶和中間)捕獲和孔也加劇了,每次釋放的能量小,不能形成可見光。相對于較大發(fā)光的內(nèi)容比非發(fā)光復合,光學的量子效率較高。因為這種化合物是在該地區(qū)少數(shù)載流子擴散的光線,所以只能關(guān)閉到PN結(jié)數(shù)μm或更少。

理論和實踐證明,峰值波長的光λ-和發(fā)光區(qū)域的半導體帶隙Eg有關(guān),即λ≈1240年/Eg(mm)類型Eg單位電子伏特(eV)。如果他們能產(chǎn)生可見光(波長度380nm紫羅蘭紅色~780nm),如應(yīng)之間3.26~1.63 eV的半導體材料。長波長紅外燈的紅光?,F(xiàn)在對紅外光譜、紅色、黃色、綠色和藍色發(fā)光二極管,但藍光二極管成本、價格很高,不是一般使用。

(B)LED的特點

1。極限參數(shù)的含義

(1)允許功率Pm︰允許在兩端LED是直流電壓和最大值及其當前產(chǎn)品。超過此值,LED熱損傷。

(2)最大直流轉(zhuǎn)發(fā)當前IFm︰允許向電流最大值。超過此值可損壞二極管。

(3)最大反向電壓VRm︰允許的最大反向電壓。超過此值,發(fā)光二極管可以穿透損傷。

(4)工作環(huán)境topm︰發(fā)光二極管工作環(huán)境溫度范圍。低于或高于此范圍,發(fā)光二極管將不工作,效率大大降低。

2。參數(shù)的含義

(1)分布和光譜的峰值波長︰一個發(fā)光二極管不是單一的波長,波長的光,如圖2所示??梢姡鶕?jù)某些波長λ0最高,led的燈和峰值波長的波長。

(2)發(fā)光強度IV︰發(fā)光二極管的發(fā)光強度通常是正常(圓柱管是指其軸線)方向的發(fā)光強度。如果(1/683)W/sr,發(fā)光1坎德拉(符號為CD)在該方向的輻射強度。由于小一般LED led強度、發(fā)光強度坎德拉(MCD)單位。

(3)光譜半寬度δλ︰代表領(lǐng)導的頻譜純度。請參閱圖3 1/2在兩個波長間隔對應(yīng)的峰值強度。

(4)半值角θ和1/2角︰θ1/2是指發(fā)光強度值為軸向強度半方向和光軸角(正常)。半值角倍的角度來看(或半功率)。

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